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Toshiba Semiconductor 东芝

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晶体管 - JFET [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： 2SK208-O(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET N-CH 50V SC59 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：50V 漏源极电压（vdss）：50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：600µA @ 10V 电阻 - rds（开）：8.2pF @ 10V 功率 - 最大值：100mW	丝印：(请登录) 外壳：封装：SC-59 料号：JTG13-83 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK880-Y(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET N-CH 50V 0.1W USM 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：50V 漏源极电压（vdss）：50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：1.2mA @ 10V 电阻 - rds（开）：13pF @ 10V 功率 - 最大值：100mW	丝印：(请登录) 外壳：封装：USM 料号：JTG13-102 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK2145-BL(TE85L,F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET N-CH 50V SMV 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）：2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）：2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：6mA @ 10V 电阻 - rds（开）：13pF @ 10V 功率 - 最大值：300mW	丝印：(请登录) 外壳：封装：SMV 料号：JTG13-105 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK208-GR(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH S-MINI FET 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）：- 漏源极电压（vdss）：- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：2.6mA @ 10V 电阻 - rds（开）：- 功率 - 最大值：100mW	丝印：外壳：封装：SC-59 料号：JTG13-126 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK208-R(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET N-CH 50V S-MINI 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：50V 漏源极电压（vdss）：50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：300µA @ 10V 电阻 - rds（开）：8.2pF @ 10V 功率 - 最大值：100mW	丝印：外壳：封装：S-MINI 料号：JTG13-129 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK208-Y(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 50V S-MINI 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）：- 漏源极电压（vdss）：- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：1.2mA @ 10V 电阻 - rds（开）：- 功率 - 最大值：100mW	丝印：外壳：封装：S-MINI 料号：JTG13-132 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK879-GR(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET N-CH 0.1W USM 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：N 通道漏源极电压（vdss）：N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：2.6mA @ 10V 电阻 - rds（开）：8.2pF @ 10V 功率 - 最大值：100mW	丝印：(请登录) 外壳：封装：USM 料号：JTG13-144 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK880-BL(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET N-CH 50V 0.1W USM 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：50V 漏源极电压（vdss）：50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：6mA @ 10V 电阻 - rds（开）：13pF @ 10V 功率 - 最大值：100mW	丝印：外壳：封装：SC-70 料号：JTG13-153 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK879-Y(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET N-CH 0.1W USM 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：N 通道漏源极电压（vdss）：N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：1.2mA @ 10V 电阻 - rds（开）：8.2pF @ 10V 功率 - 最大值：100mW	丝印：外壳：封装：USM 料号：JTG13-216 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK880GRTE85LF复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET N-CH 50V 0.1W USM 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：50V 漏源极电压（vdss）：50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：2.6mA @ 10V 电阻 - rds（开）：13pF @ 10V 功率 - 最大值：100mW	丝印：外壳：封装：SC-70 料号：JTG13-268 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK2145-GR(TE85L,F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）：- 漏源极电压（vdss）：- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：2.6mA @ 10V 电阻 - rds（开）：- 功率 - 最大值：300mW	丝印：(请登录) 外壳：封装：SMV 料号：JTG13-271 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK2145-Y(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）：2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）：2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：1.2mA @ 10V 电阻 - rds（开）：13pF @ 10V 功率 - 最大值：300mW	丝印：(请登录) 外壳：封装：SMV 料号：JTG13-274 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK3320-BL(TE85L,F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET DUAL N-CH USV 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：N 通道漏源极电压（vdss）：N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：6mA @ 10V 电阻 - rds（开）：13pF @ 10V 功率 - 最大值：200mW	丝印：(请登录) 外壳：封装：USV 料号：JTG13-277 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK3320-Y(TE85L,F)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： JFET DUAL N-CH USV 参数： fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 沟道电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:50V 漏源极电压（vdss）:50V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:- 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装标签: fet 类型:2 N-通道（双）电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双）漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双）不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道漏源极电压（vdss）:N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V 电阻 - rds（开）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:200mW 安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - JFET 替代：	fet 类型：N 通道电压 - 击穿（v（br）gss）：N 通道漏源极电压（vdss）：N 通道不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：1.2mA @ 10V 电阻 - rds（开）：13pF @ 10V 功率 - 最大值：200mW	丝印：(请登录) 外壳：封装：USV 料号：JTG13-317 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.146900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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